รายละเอียดสินค้า:
การชำระเงิน:
|
| หมายเลขชิ้นส่วน: | BAS86 | VR: | 50V |
|---|---|---|---|
| บรรจุภัณฑ์: | SOD-80C | กระแสสูงสุดไปข้างหน้าซ้ำ ๆ: | 500mA |
| ไปข้างหน้าปัจจุบัน: | 200mA | ชนิด: | Schottky Barrier Diode |
| แสงสูง: | 1n914 switching diode,1n914 blocking diode |
||
Surface Mount Schottky Barrier Diodes BAS86 50V ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
คุณสมบัติ
1. วงแหวนป้องกันในตัวจากการคายประจุ
2. แรงดันไปข้างหน้าต่ำมาก
การใช้งาน:
คะแนนสูงสุดแน่นอน
Tj = 25 ℃
| พารามิเตอร์ | เงื่อนไขการทดสอบ | สัญลักษณ์ | ราคา | หน่วย |
| แรงดันย้อนกลับ | VR | 50 | V | |
| กระแสกระชากไปข้างหน้าสูงสุด | tp = 10 ms | IFSM | 5 | |
| กระแสสูงสุดไปข้างหน้าซ้ำ ๆ | tp≤1s | IFRM | 500 | mA |
| ไปข้างหน้าปัจจุบัน | ถ้า | 200 | mA | |
| เฉลี่ยไปข้างหน้าปัจจุบัน | IFAV | 200 | mA | |
| อุณหภูมิทางแยก | Tj | 125 | ℃ | |
| ช่วงอุณหภูมิการเก็บรักษา | Tstg | -65 ~ + 150 | ℃ | |
| จุดเชื่อมต่อโดยรอบ | บนพีซีบอร์ด 50 มม. x 50 มม. x 1.6 มม | RthJA | 320 | K / W |
ลักษณะไฟฟ้า
Tj = 25 C
| พารามิเตอร์ | สัญลักษณ์ | เงื่อนไขการทดสอบ | นาที | Typ | แม็กซ์ | หน่วย |
| ย้อนกลับแรงดันพังทลาย | V (BR) R | IR = 10ìA (พัลซิ่ง) | 30 | V | ||
| กระแสไฟรั่ว | IR | VR = 25V | 0.2 | 2 | ต | |
| แรงดันไปข้างหน้า | VF | การทดสอบชีพจร tp <300μs IF = 0.1mA IF = 1mA IF = 10mA IF = 30mA IF = 100mA | 0.5 | 0.24 0.32 0.4 0.8 | V | |
| ปริมาตร | Ctot | VR = 1V, f = 1MHz | 10 | pF | ||
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน | TRR | IF = 10mA, IR = 10mA IR = 1mA | 5 | NS |
ทำไมต้อง เลือก XUYANG
1. เราจัดการในไดโอดทั้งหมดที่มีประสบการณ์เกือบ 20 ปี
2. เราสามารถให้การสนับสนุนทางเทคนิคสำหรับผู้ซื้อ
3. เวลาการส่งสั้นและราคาที่ดีมีคุณภาพสูง
4. ผลิตภัณฑ์เต็มรูปแบบจะช่วยให้คุณประหยัดเวลาและค่าใช้จ่ายในการจัดส่งสินค้า
5. เราสามารถให้ ตัวอย่างฟรี
วิธีการชำระเงิน :
· T / T
·เวสเทิร์นยูเนี่ยน
· PayPal
·เงื่อนไขการชำระเงินอื่น ๆ ตามที่คุณต้องการ
วิธีการจัดส่งสินค้า:
เร่งการจัดส่งสินค้าระหว่างประเทศ (FEDEX, DHL, UPS, TNT) มันปกติค่าใช้จ่าย 4-6 วัน
ผู้ติดต่อ: Bixia Wu
