รายละเอียดสินค้า:
การชำระเงิน:
|
| ชื่อผลิตภัณฑ์: | S1A-S1M | ปัจจุบัน: | 1A |
|---|---|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า: | 50-1000V | บรรจุภัณฑ์: | SMA / DO-214AC |
| การบรรจุ: | เทปในรอก | SPQ: | 5000pcs |
| แสงสูง: | international rectifier diode,fast recovery rectifier diode |
||
ลักษณะเฉพาะ
บรรจุภัณฑ์พลาสติกมีการจำแนกประเภทไวไฟของห้องปฏิบัติการ Underwriters 94V-0
แนวคิดสำหรับแผงวงจรพิมพ์
สำหรับการติดตั้งที่พื้นผิว
กระจกสำหรับจุดแยกแบบลูกปืน
มีระบบบรรเทาความเครียดในตัวซึ่งเหมาะสำหรับการจัดวางอัตโนมัติ
การรั่วไหลย้อนกลับต่ำ
ความสามารถในการกระชากไปข้างหน้าสูง
การบัดกรีที่อุณหภูมิสูงรับประกันได้
แอปพลิเคชันทั่วไป
สำหรับใช้ในวัตถุประสงค์ทั่วไปของแหล่งจ่ายไฟ, อินเวอร์เตอร์, คอนเวอร์เตอร์และไดโอดอิสระ
ผู้บริโภคยานยนต์และโทรคมนาคม
การจัดอันดับสูงสุดและคุณลักษณะทางไฟฟ้า
เรทติ้ง 25 C อุณหภูมิโดยรอบไม่เป็นไปตามที่ระบุ
เฟสเดียวคลื่นครึ่ง 60Hz โหลดตัวต้านทานหรืออุปนัย
สำหรับโหลด capacitive หาค่ากระแสได้ 20%
| จำนวนประเภท | สัญลักษณ์ | S1A | S1B | S1D | S1G | S1J | S1K | S1M | หน่วย |
| ค่าสูงสุดแรงดันย้อนกลับสูงสุดที่กลับเป็นซ้ำ | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| แรงดันไฟฟ้า RMS สูงสุด | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
| แรงดันการปิดกั้นสูงสุด DC | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
|
ค่าเฉลี่ยกระแสสูงสุดที่แก้ไขไปข้างหน้า .375 "(9.5 มม.) ความยาวตะกั่วที่ Ta = 75 C |
IF (AV) | 1.0 | |||||||
|
กระแสกระชากไปข้างหน้าสูงสุด, คลื่นไซน์ครึ่งเดียว 8.3 มิลลิวินาที ซ้อนทับกับโหลดที่รับการจัดอันดับ (วิธี JEDEC) |
VF | 30 | V | ||||||
|
ค่าสูงสุดย้อนกลับกระแสตรง = 25 ° C ที่พิกัดแรงดัน DC บล็อก Ta = 125 ° C |
IR |
5.0 200 |
mA mA |
||||||
| ความจุจังค์ชันทั่วไป (หมายเหตุ 1) | CJ | 15 | pF | ||||||
| ความต้านทานความร้อนทั่วไป (หมายเหตุ 2) | Re (ja) | 30 | ° C / W | ||||||
| อุณหภูมิชุมทางการเก็บรักษาและการใช้งาน | TSTG, TJ | -65 ถึง +150 |
° C
|
||||||
การวาดภาพ:
ทำไมถึงเลือกพวกเรา?
1. ISO9001: 2008 ได้รับการรับรองจากโรงงาน
2. 20 ปีประสบการณ์มากมายในการผลิตไดโอด
3. การควบคุมคุณภาพอย่างเข้มงวดบรรลุความพึงพอใจสูงสุดของลูกค้า
4. กำลังการผลิตต่อปีมากกว่า 2 พันล้าน
ผู้ติดต่อ: Bixia Wu
