รายละเอียดสินค้า:
การชำระเงิน:
|
| ชื่อ: | Varactor Diode | หมายเลขชิ้นส่วน: | 1SS265 |
|---|---|---|---|
| VR: | 35V | บรรจุภัณฑ์: | DO-34 |
| สถานะตะกั่วฟรี: | ไร้สารตะกั่ว / RoHS | จัดส่งโดย: | DHLUPSFedexEMSsea |
| แสงสูง: | silicon rectifier diode,silicon zener diode |
||
การสลับไดโอดด้วยความเร็วสูงจุ่ม Varactor Diode 1SS265 พร้อมกับบรรจุภัณฑ์แก้ว DO-34
คุณสมบัติ
1. ความต้านทานไปข้างหน้าแตกต่างต่ำ
2. ความจุไดโอดต่ำ
3. ความต้านทานย้อนกลับสูง
การประยุกต์ใช้งาน
การสลับแบนด์ในเครื่องรับ VHF
การก่อสร้าง
ระนาบ epitaxial ซิลิคอน
คะแนนสูงสุดแน่นอน
T j = 25 ℃
| พารามิเตอร์ | เงื่อนไขการทดสอบ | สัญลักษณ์ | ราคา | หน่วย |
| แรงดันไฟฟ้ากระแสตรงย้อนกลับ | VR | 35 | V | |
| ปัจจุบันได้รับการรับรองเฉลี่ย | ไอโอ | 100 | mA | |
| การกระจายอำนาจ | Pd | 150 | mW | |
| อุณหภูมิทางแยก | Tj | 175 | ° C | |
| ช่วงอุณหภูมิการเก็บรักษา | Tstg | -65 ~ + 125 | ℃ |
ความต้านทานความร้อนสูงสุด
T j = 25 ℃
| พารามิเตอร์ | เงื่อนไขการทดสอบ | สัญลักษณ์ | ราคา | หน่วย |
| จุดเชื่อมต่อโดยรอบ | I = 4mm, T L = คงที่ | RthJA | 350 | K / W |
ลักษณะไฟฟ้า
T j = 25 ℃
| พารามิเตอร์ | ทดสอบสภาพ | สัญลักษณ์ | นาที | Typ | แม็กซ์ | หน่วย |
| แรงดันไปข้างหน้า | IF = 10mA | VF | 0.85 | 1 | V | |
| ย้อนกลับปัจจุบัน | VR = 20V | IR | 100 | nA | ||
| แรงดันพังทลาย | IR = 10μA | bv | 35 | V | ||
| ความจุ Teminal | f = 1MHz, VR = 6V | กะรัต | 1.5 | pF | ||
| ความต้านทานความถี่ | f = 100MHz, IF = 10mA | r f | 0.5 | Ω |
คุณมาจาก XUYANG อะไร
บริการที่ดีที่สุด: ด้วยประสบการณ์ 10 ปีในการส่งออกพนักงานขายจะให้บริการคุณ
คุณภาพสูง: ช่วยคุณหลีกเลี่ยงความเสี่ยงในการซื้อ
การส่งสั้น: ช่วยคุณประหยัดเวลา
ราคาที่แข่งขันได้: ราคาไม่ต่ำสุด แต่มีประสิทธิภาพด้านต้นทุนที่สูงที่สุด
OEM / ODM: เรามั่นใจว่าเราสามารถตอบสนองคุณ OEM / ODm ความต้องการ
ผู้ติดต่อ: Bixia Wu
